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STL7N60M2 Datasheet技术文件下载

STL7N60M2产品参数和技术文档

STL7N60M2产品图

STL7N60M2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.82000
$1.82
10
1.61200
$16.12
100
1.27400
$127.40
500
0.98800
$494.00
1,000
0.77999
$779.99

STL7N60M2产品参数

品牌:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
详细描述:
表面贴装 N 沟道 600V 5A(Tc) 4W(Ta), 67W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.05 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8.8nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
271pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
4W(Ta), 67W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
PowerFLAT?(5x5)
封装/外壳
8-PowerVDFN
标准包装
1
其它名称
497-16519-1
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
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产品索引: SI7485DP-T1-GE3 STM32F373R8T6 STM32F411CEY6TR SN74ALS191ANSR STP60NS04ZB SESLC12VD323-2B STD815CP40 S9S12XS256J0CAA S29GL01GP11TFCR10 SS14F

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